微电子之明星——极宽能隙半导体氧化镓

2019.12.17

投稿:高珊部分:质料科学与工程学院浏览次数:

活动信息

时间: 2019年12月19日 13:05

所在: 校本部东区质料楼520聚会室

报告内容简介:极宽能隙半导体氧化镓晶体

报告人姓名:夏长泰

报告人简介:1996年8月结业于中国科学院上海硅酸盐研究所无机非金属质料专业, 获博士学位。。。。现为中国科学院上海光学细密机械研究所研究员、博士生导师。。。。十多年以来从事晶体生长和性能研究, 曾认真和加入国家自然科学基金、国家863高手艺、智利国家科学手艺委员会、豊田中央研究所先端研究部分和国际情形手艺转移研究中心的科研项目。。。。 2004年以外洋优异人才身份加盟中国科学院上海光学细密机械研究所。。。。十年多来在宽禁带半导体质料的新型单晶衬底、白光LED新型荧光质料和激光晶体等方面开展研究事情,,推动了白光LED手艺的前进,,为白光LED手艺提供了新的手艺路径。。。。现在从事宽禁带半导体氧化镓单晶生长、氧化镓纳米晶体和白光LED晶体荧光体等质料的研究,,这些质料在白光LED、功率电子器件等方面有着辽阔的应用远景,,我们还将探索其在激光手艺等其他领域的应用。。。。

报告人单位:中国科学院上海光学细密机械研究所

主理单位:威廉希尔质料学院

联系人:王林军

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