报告问题 (Title)：铪基铁电隧道结退极化特征调控及其在人工神经系统中的应用

报告人 (Speaker)：龙啸 博士（中国科学院微电子研究所）

报告时间 (Time)：2024年10月11日(周五) 15:00

报告所在 (Place)：校本部 G313

约请人 (Inviter)：曾志刚 副教授

主理部分：理学院物理系、上海市高温超导重点实验室

摘要 (Abstract)：

铪基铁电隧道结（HfO2 based FTJs）因其优异的CMOS兼容性、高集成密度以及低功耗等特点
，，，，，已成为目今构建人工神经网络系统的主要选择。。。。
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。对退极化效应的研究至关主要
，，，，，是调控器件的非易失性的要害
，，，，，关于实现差别种类神经网络的应用具有主要意义。。。。
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。近期
，，，，，来自中国科学院微电子研究所刘明院士团队的龙啸博士
，，，，，主导了在锗晶圆上的HZO FTJ工艺优化事情。。。。
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。通过接纳下界面氧化物插层工艺
，，，，，在增强隧道电阻窗口的同时大幅减轻了退极化效应的影响
，，，，，降低了操作电压
，，，，，并提高了器件的可靠性。。。。
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。这项优化的器件结构具备低功耗、电导一连可调的优势
，，，，，已乐成应用于相助方开发的离子传感和发电的生物源传感装置（BSSD）
，，，，，作为零电压写入人工神经系统（ZANS）的焦点组件。。。。
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